海力士、美光为代表的全球三大原厂陷入严重亏损，存储业务均遭遇有史以来最长的亏损周期。

　　为应对行业寒冬，三大原厂启动了史上最大规模的减产计划，累计削减DRAM产能超30%，NAND产能超25%。这一极端供给收缩行为，彻底扭转了市场供需预期，为随后的价格反转奠定了基础。

　　进入2024年，存储芯片价格开始触底反弹，并在下半年加速上涨，全年DDR4价格涨幅超200%，NAND涨幅超100%。市场普遍认为，此轮行情并非简单的周期修复，其核心驱动力已切换为生成式AI带来的指数级需求增长。全球前两大DRAM芯片大厂三星和SK海力士已向客户发出通知，今年第二季度将继续大幅提高DRAM价格。而具体的涨价幅度则因客户而异，但中小型客户可能将不得不接受大幅涨价以确保DRAM供应。

　　AI服务器对存储芯片的需求呈结构性爆发态势。以HBM（高带宽内存）为例，其通过3D堆叠技术实现了远超传统内存的带宽，已成为AI芯片标配。单台AI服务器的HBM搭载量、DRAM及企业级SSD需求，均达到传统服务器的数倍甚至数十倍。招商证券预测，2026-2028年全球HBM市场年复合增速将达78%。

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　　从长期格局来看，供给端的产能持续向高附加值产品倾斜。三大原厂将主要新增产能投向HBM，导致标准DRAM与NAND的供给出现历史性收缩。需求端的爆发式增长与供给端的结构性紧张，共同构成了本轮超级周期的基础，全球存储产业的供需格局正经历一场由AI驱动的深度重构。

　　国内存储厂商的业绩爆发，正是这一轮AI浪潮下国内厂商迎来历史性机遇的缩影。从产业链全局看，中国是全球最大的存储芯片消费市场，但长期以来高度依赖进口。此轮AI浪潮为自主可控替代提供了黄金窗口。DRAM领域，国内厂商已实现DDR4、DDR5系列产品量产；NAND领域，自主研发的架构使232层3DNAND芯片性能已达国际主流水平。自主可控存储芯片已形成从上游设备材料到下游模组的完整产业链生态。

　　3月3日晚间，国内存储模组龙头企业一则自愿性业绩预告，让市场重新审视存储芯片行业的景气度。

　　公告显示：“公司预计2026年1-2月实现营业收入40亿至45亿元，同比增长340%至395%；实现归母净利润15亿至18亿元，同比增加921.77%至1086.13%”。公司投资者问答栏目回复：“2026年存储行业迎来高度景气周期，AI算力与自主可控替代驱动DRAM/NAND价格持续上涨，行业供不应求，公司受益显著”。

　　这则公告之所以引发市场高度关注，是因为它并非个案，而是存储芯片行业从2023年历史冰点反转、步入AI驱动型超级周期的缩影。过去二十年，存储芯片行业经历了六轮完整的牛熊周期，而本轮行情的底层逻辑已发生根本性变化——生成式AI带来的指数级需求，正将行业从传统的周期性波动，推向一个由结构性需求驱动的长期增长通道。

　　短期来看，AI算力需求依然旺盛，而三大原厂扩产谨慎，标准存储芯片供给紧张的局面或将持续。集邦咨询最新调查，2026年第一季度DRAM合约价涨幅已从年初预估的55-60%上修至90-95%，NAND Flash涨幅从33-38%上修至55-60%。价格有望维持高位运行。

　　中长期而言，AI将持续成为存储市场的核心增长引擎，HBM等细分赛道将迎来爆发。行业的周期性波动将趋于平滑，成长性属性增强，估值体系面临重构。同时，随着自主可控技术的持续突破，国内厂商在全球市场的份额有望突破20%，中国将成为全球存储产业的重要一极，全球存储产业链将呈现韩国、美国、中国多极化发展的新格局。摩根士丹利2026年3月1日《全球存储芯片行业深度报告》：本轮AI驱动的存储上行周期，将打破行业过往3-4年的牛熊循环规律，上行周期将至少延续至2027年。

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